Adquisición de un equipo de implantación de iones por inmersión en plasma (PIII)

La técnica PIII consiste en la implantación precisa de iones dopantes (como boro, fósforo o arsénico) en materiales semiconductores. El NTC trabaja en concreto sobre la fabricación de dispositivos fotónicos y de momento no dispone de esta técnica ni de ninguna similar para realizar “dopajes” de los componentes que fabrica. Se trataría de implementar una nueva técnica permitiendo mejoras en la calidad y las características de los componentes fotónicos fabricados. El elemento principal de un componente fotónico es la guía de onda que se suele realizar sobre silicio (o nitruro de silicio) y esta técnica, al implantar iones de distintos materiales dentro de esas guías, permitiría modificar el índice de refracción del Silicio y mejorar sus propiedades. Como ejemplo de posible aplicación futura, el NTC dispondría de la capacidad de implantar materiales como el Erbio dentro de las guías de ondas en silicio para fabricar amplificadores ópticos integrados, que son esenciales en sistemas de comunicación por fibra óptica para compensar la pérdida de señal a largas distancias. Dado que la fotónica a menudo involucra materiales sensibles al calor, la capacidad de PIII para operar a bajas temperaturas es una gran ventaja, ya que evita daños térmicos en los dispositivos. Además, la técnica PIII es escalable y puede aplicarse a obleas grandes, lo que la hace adecuada para la producción en masa de dispositivos fotónicos. El NTC necesitaría un equipo PIII que permita procesar con obleas de diámetro de 8 pulgadas haciéndole compatible con los equipos que ha ido incorporando últimamente y que trabajan con obleas de este tamaño. Disponer de estas capacidades supondría una mejora importante a nivel interno del instituto y al mismo tiempo permitiría ofrecer un servicio más completo a usuarios externos, tanto grupos de investigación como empresas. Disponer de una herramienta que nos permite modificar las propiedades de las guías de ondas aumentaría los servicios ofertados, asegurando la calidad de estos. Asimismo, facilitaría el acceso por parte de los grupos de investigación del instituto a proyectos de investigación competitivos que se ve dificultada en la actualidad por la falta de este equipo. La infraestructura solicitada pondría las instalaciones del NTC en primer nivel tecnológico y a la par con centros punteros en fotónica y comunicaciones. Mejorar las capacidades de fabricación de circuitos ópticos con diferentes tipos de dopaje en obleas de hasta 8 pulgadas (compatible con fabricación en obleas de 6 pulgadas y muestras) supondría una singularidad del NTC, que lo haría destacar a nivel europeo. En definitiva, la adquisición del equipamiento solicitado permitirá innovar las capacidades del instituto solicitante, posibilitando así continuar en la vanguardia de la fotónica en Europa, tanto en producción científica y fabricación de series importantes de circuitos fotónicos integrados como en transferencia tecnológica. La adquisición de este equipo DE IMPLANTACIÓN DE IONES POR INMERSIÓN EN PLASMA (PIII), está vinculado al proyecto “ICTS MICRONANOFABS- NTC- PLAN ESTRATEGICO 2021-2024” financiado por la concesión directa de subvención del Ministerio de Ciencia, Innovación y Universidades, según Real Decreto 714/2024, de 23 de julio. Esta subvención está financiada por el Mecanismo de Recuperación y Resiliencia de la Unión europea, establecido por el Reglamento (UE) 2020/2094 del Consejo, de 14 de diciembre de 2020, por el que se establece un Instrumento de Recuperación de la Unión Europea para apoyar la recuperación tras la crisis de la COVID-19, y regulado según Reglamento (UE) 2021/241 del Parlamento Europeo y del Consejo de 12 de febrero de 2021 por el que se establece el Mecanismo de Recuperación y Resiliencia.